目前节能省电成为趋势，日本多家电子大厂纷纷加入发展功率半导体行列，其中东芝（Toshiba）将生产电源效率更高的功率半导体，而为了在成长中的市场先行卡位，其他多家厂商也已开始行动。
东芝将在2011年度推出高耐压及低耐压的MOSFET，并利用单磊晶（single epi）构造的超接面（Super-junction）技术降低漏电，进而获得更高的电源效率。此外，东芝也计划逐步将目前6吋的晶圆产线改成8吋厂，以提高生产效率。
东芝预计在2013年将有80％的功率半导体产自8吋晶圆厂，由于功率半导体的封装测试成本占整体费用4成，故其基本方针将为提高委外代工比重，首先将2012年的委外比重提高到生产量的80％，至2013年则会来到90％。
富士电机将自2012年5月起在其位于日本山梨县的山梨制作所，生产绝缘栅双极电晶体（Insulated Gate Bipolar Transistor；IGBT），产线启用后，该公司的功率半导体产能将可提高14％。
另外，富士电机也将投资185亿日圆（约2.4亿美元）用于功率半导体产线，并同时导入8吋晶圆产线。
瑞萨电子则预备缩小消费性电子用的功率半导体，并增加用于汽车及智慧电网相关产品的种类。
根据野村证券金融经济研究所！预估，全球功率半导体市场在2013年将达到165亿美元规模，较2009年成长64％。碳化矽（SiC）因其省电效果，可望于2015年代替矽，成为市场主流。